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半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
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絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
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理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
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