提拉法生長單晶體的優(yōu)點有（）

有關(guān)表面能級圖描述不正確的說法有（）。

低維材料主要包括（）

影響CVD質(zhì)量的因素有（）

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

膜層與基片的結(jié)合強度相比較：（）。

屬于一維材料的有（）

固相燒結(jié)的驅(qū)動力主要來源于坯料的（）

納米微粒具有大比表面，表面原子數(shù)下降、表面能和表面張力隨粒徑下降急劇增加等現(xiàn)象，表現(xiàn)出哪些獨有的特性？（）

蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）