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填空題IGBT的靜態(tài)特性包括傳輸特性和（）。

1.單項(xiàng)選擇題絕緣柵雙極型晶體管簡稱（）。

A.MOSFET
B.IGBT
C.GTR
D.GTO

2.填空題P-MOSFET的保護(hù)主要有工作保護(hù)和（）。

3.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)中，（）不是P-MOSFET的一般特性。

A．轉(zhuǎn)移特性
B．輸出特性
C．開關(guān)特性
D．歐姆定律

4.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)中，（）不是常用的電力晶體管（GTR）。

A．單管
B．達(dá)林頓管
C．GRT模塊
D．IPM

5.填空題GTO晶閘管的門極控制電路包括門極開通電路、（）和反偏電路。

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