不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，K，Na金屬為體心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

低維材料主要包括（）

使參與反應的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進行外延生長的方法是（）

屬于一維材料的有（）

蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

關于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）

提拉法生長單晶體的優(yōu)點有（）

氣相生長的基本原理：氣相原子或分子運動到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺階運動蔓延整個表面，便生長一層晶體薄膜。

完全光滑界面的生長是通過（）而進行的。

薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型？（）