低維材料主要包括（）

蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

影響CVD質(zhì)量的因素有（）

化學(xué)溶液鍍膜法主要包括（）

陶瓷燒結(jié)按照（）的不同可分為固相燒結(jié)和液相燒結(jié)。

利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）

氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）

晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。

關(guān)于液相燒結(jié)正確的說法有（）

屬于影響成核過程的因素有（）