蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。

納米微粒具有大比表面，表面原子數(shù)下降、表面能和表面張力隨粒徑下降急劇增加等現(xiàn)象，表現(xiàn)出哪些獨(dú)有的特性？（）

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，K，Na金屬為體心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

提拉法生長單晶體的優(yōu)點(diǎn)有（）

晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個(gè)階段。

化學(xué)溶液鍍膜法主要包括（）

屬于影響成核過程的因素有（）