蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

影響CVD質(zhì)量的因素有（）

關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說(shuō)法正確的有（）

在島的結(jié)合過(guò)程中，大島和小島相結(jié)合而部分消失，得到微晶具有（）的結(jié)晶取向。

提拉法生長(zhǎng)單晶體的優(yōu)點(diǎn)有（）

利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）

屬于一維材料的有（）

薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程主要包含哪幾種類型？（）

使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進(jìn)行外延生長(zhǎng)的方法是（）

晶體生長(zhǎng)大致可以分為晶核的（）兩個(gè)階段。