A.燈絲加熱電流
B.陰極到陽(yáng)極的距離
C.靶的材料
D.施加于X射線管的電壓和波型
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A.γ射線源的能量是否適當(dāng)直接影響到檢驗(yàn)的靈敏度
B.在γ射線探傷中,應(yīng)選取放射性比活度較小的源。
C.過(guò)短的半衰期會(huì)給使用帶來(lái)不利的影響
D.以上不全對(duì)
A.能量
B.放射性比活度
C.半衰期和源尺寸
D.以上都對(duì)
A.驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用來(lái)將放射源從源容器的屏蔽儲(chǔ)存位置驅(qū)動(dòng)到曝光焦點(diǎn)位置
B.驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)不能將放射源收回到源容器內(nèi)
C.驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)由控制部件、控制導(dǎo)管和驅(qū)動(dòng)部件構(gòu)成
D.驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)分手動(dòng)和自動(dòng)兩種
A.X光管兩極的電壓
B.陰極燈絲加熱電流值
C.燈絲材料的原子序數(shù)
D.靶材料的原子序數(shù)
A.陰極
B.陽(yáng)極罩
C.陽(yáng)極靶
D.發(fā)生器
最新試題
下列有關(guān)評(píng)片的敘述哪一條是錯(cuò)誤的()
在試件外緣由射線散射引起射線照相圖像質(zhì)量變差的現(xiàn)象叫()
X射線照相時(shí),設(shè)焦距為650mm,陽(yáng)極靶與管軸線傾角為20°,則其輻射場(chǎng)直徑為()
為了提高橫向缺陷檢出率,射線照相應(yīng)該采取下列中的哪個(gè)措施()
在射線照相檢測(cè)中,當(dāng)提高射線能量時(shí)可能發(fā)生的是()
渦流檢測(cè)不適合于檢測(cè)()
射線照相法適用于下列哪種檢測(cè)對(duì)象()
雙壁單影透照環(huán)焊縫時(shí),不滿足Ug要求下,應(yīng)選擇較小焦距,這是為了()
X射線管焦點(diǎn)有效面積取決于()
在射線檢測(cè)中,下列哪一種裂紋最難檢測(cè)()