A.當(dāng)缺陷尺寸小于射源尺寸時(shí),才需要引入σ對(duì)底片對(duì)比度進(jìn)行修正;
B.σ值越小,幾何條件對(duì)底片對(duì)比度的影響越大;
C.為提高σ而改變透照布置,常用的方法是增大焦距;
D.為提高底片對(duì)比度,應(yīng)盡量采用σ>1的透照布置。
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A.改變KV值
B.改變焦距
C.改變mA值
D.改變底片的黑度
A.射源的尺寸,射源的強(qiáng)度,膠片類(lèi)型;
B.工件厚度,膠片類(lèi)型,射源類(lèi)型;
C.射源強(qiáng)度,膠片類(lèi)型,增感屏類(lèi)型;
D.射源尺寸,幾何不清晰度,工件厚度。
A.射源到膠片的距離;
B.膠片到工件的距離;
C.射源的強(qiáng)度;
D.射源的尺寸。
A.影像顆?;蝾w粒團(tuán)塊的不均勻分布;
B.底片單位面積上顆粒數(shù)的統(tǒng)計(jì)變化;
C.顆粒團(tuán)塊的重重疊疊;
D.以上都是。
A.對(duì)比度
B.不清晰度
C.顆粒度
D.以上都是
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射線照相法適用于下列哪種檢測(cè)對(duì)象()
同位素的含義是()
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