多項(xiàng)選擇題哪些測(cè)量值與HSDPA速率下降相關(guān)()

A.Nack
B.NoAnswer
C.Ack
D.Nodata


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1.多項(xiàng)選擇題UE能力等級(jí)為()才支持HS-DSCH最大時(shí)隙數(shù)為3個(gè)

A.1~3
B.4~6
C.7~9
D.10~12
E.13~15

4.單項(xiàng)選擇題在TD-SCDMA的HSUPA中,TTI的長(zhǎng)度為()

A.5ms
B.10ms
C.20ms
D.可變長(zhǎng)度的TTI,便于靈活調(diào)度速率

5.單項(xiàng)選擇題E-AGCH的最大發(fā)射功率由()

A.高層配置決定
B.UE通過(guò)上行TPC申請(qǐng)決定
C.NodeB根據(jù)上行反饋的信道質(zhì)量自行確定
D.無(wú)需確定E-AGCH信道的最大發(fā)射功率

最新試題

TD和WCDMA中,功率控制分為開(kāi)環(huán)功控和閉環(huán)功控,其中閉環(huán)功控又分為內(nèi)環(huán)功控、()。

題型:填空題

TD-SCDMA系統(tǒng)每個(gè)時(shí)隙中的Midamble碼長(zhǎng)度為()bit,它們是由長(zhǎng)度為128bit的基本midamble碼經(jīng)過(guò)循環(huán)移位得到。

題型:填空題

R4中TD-SCDMA使用的調(diào)制方式有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

TD-SCDMAR4系統(tǒng)采用的是()的調(diào)制方式,HSDPA在信道條件良好的情況下,使用16QAM的調(diào)制方式,此時(shí),每個(gè)chip可以攜帶4bit信息。

題型:填空題

無(wú)線環(huán)境中的衰耗包括慢衰落、()、路徑損耗等,其中快衰落服從瑞利分布。

題型:填空題

MSI結(jié)合(IMSIattach)和普通位置更新的區(qū)別在于().

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

TD-SCDMA的每個(gè)業(yè)務(wù)時(shí)隙中攜帶了三種物理層控制信息,其中用于同步調(diào)整的是:SS,用于功率控制的是:TPC,用于指示傳輸格式的是()。

題型:填空題

TD-SCDMANodeB的最簡(jiǎn)配置中,下面哪些單板是不需要的()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

指出符合描述的計(jì)時(shí)器,在手機(jī)側(cè)當(dāng)收到最后一個(gè)RLC層的數(shù)據(jù)幀時(shí)啟動(dòng)并等待當(dāng)前TBF釋放().

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

UE發(fā)起業(yè)務(wù)請(qǐng)求,RRC連接建立在專用信道上,此時(shí)UE應(yīng)進(jìn)入狀態(tài)是().

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題