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問答題

【簡答題】例舉并描述熱生長SiO₂–Si系統(tǒng)中的電荷有哪些？

答案：

界面陷阱電荷、可移動氧化物電荷。

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【簡答題】影響氧化速度的因素有哪些？

答案：

摻雜物、晶體晶向、壓力、溫度、水蒸氣。

【簡答題】描述熱氧化過程。

答案： ①干氧：Si＋O₂SiO₂
氧化速度慢，氧化層干燥、致密，均勻性、...

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