單項(xiàng)選擇題在拔出運(yùn)行中NE80的LPU單板前，需要做什么操作？（）
A、undoshutslot<需要拔出的單板所在槽位>
B、shutslot<需要拔出的單板所在槽位>
C、刪除和該單板相關(guān)的所有配置
D、不需做任何操作"
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1.單項(xiàng)選擇題如果一臺(tái)NE80采用交流供電，則它應(yīng)該配置（）個(gè)風(fēng)扇框。
A、1
B、2
C、3
D、4
2.單項(xiàng)選擇題NE40/NE80上用戶分0～3四個(gè)等級(jí)，哪個(gè)級(jí)別開(kāi)始可以對(duì)設(shè)備上的文件進(jìn)行創(chuàng)建，刪除等操作。（）
A、0
B、1
C、2
D、3
3.單項(xiàng)選擇題NE40/NE80的配置文件存flash中，根據(jù)版本不同有.txt或者.zip文件，其文件名是：（）
A、config
B、vrpcfg
C、系統(tǒng)名稱
D、license
4.單項(xiàng)選擇題NE80設(shè)備中，查看硬盤(pán)或者flash中的txt文件使用哪個(gè)命令：（）
A、display
B、more
C、dir
D、cd
5.單項(xiàng)選擇題NE40/NE80上支持最高速率的接口是：（）
A、155M
B、622M
C、2.5G
D、10G
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硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大。（）
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在Buck電路中，不能起到減小紋波作用的措施是（）。
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DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）
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本征半導(dǎo)體中加入（）元素可形成N型半導(dǎo)體。
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在RS232串口中，采用哪一種校驗(yàn)方式：（）。
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關(guān)于BWS 1600G系統(tǒng)，下列說(shuō)法不正確的是（）。
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