單項(xiàng)選擇題實(shí)際探傷中，所用X射線束是（）。
A.單色窄線束
B.連續(xù)標(biāo)識(shí)X線束
C.寬束連續(xù)X線束
D.A、B和C
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1.單項(xiàng)選擇題美國(guó)ASTM、ASME透度計(jì)2-1T號(hào)的等效靈敏度為（）。
A.1.0%
B.1.4%
C.2.0%
D.0.7%
2.單項(xiàng)選擇題線形透度計(jì)應(yīng)放在（）。
A.遠(yuǎn)離射線源一側(cè)的工件表面上
B.靠近射線源一側(cè)的工件表面上
C.膠片暗盒表面上
D.A、B和C
3.單項(xiàng)選擇題原子核的（）等于質(zhì)子數(shù)。
A.光子數(shù)
B.正電荷數(shù)
C.中子數(shù)+電子數(shù)
D.以上都不對(duì)
4.單項(xiàng)選擇題原子核內(nèi)的質(zhì)子數(shù)相同，而（）數(shù)不同的元素叫做同位素。
A.分子
B.中子
C.電子
D.離子
5.單項(xiàng)選擇題放射性同位素60Co中的60叫做質(zhì)量數(shù)，其原子核中含有27個(gè)質(zhì)子和（）個(gè)中子。
A.27
B.33
C.60
D.87
最新試題
無(wú)損檢測(cè)設(shè)備、材料采購(gòu)驗(yàn)收內(nèi)容包括（）驗(yàn)收。
題型：多項(xiàng)選擇題
單晶體金屬特點(diǎn)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
用雙晶探頭檢測(cè)時(shí)，為增加缺陷顯現(xiàn)次數(shù)和反射幅度，檢測(cè)細(xì)長(zhǎng)缺陷應(yīng)使探頭（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
磁場(chǎng)信號(hào)測(cè)量中可采用（）方法。
題型：多項(xiàng)選擇題
Z 超聲波檢測(cè)鑄件時(shí)可作為缺陷記錄的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
大厚度比試件透照特殊技術(shù)中的補(bǔ)償技術(shù)是指利用（）填補(bǔ)工件的較薄部分，使透照厚度差減小的方法。
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于相似相溶經(jīng)驗(yàn)法則的說(shuō)法正確的有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
顯影斑紋呈黑色條狀或?qū)拵?，在整張底片范圍出現(xiàn)，其產(chǎn)生的原因是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鑄件熒光滲透檢測(cè)時(shí)，（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
超聲波檢測(cè)發(fā)現(xiàn)缺陷，在不同的方向上檢測(cè)，缺陷回波呈現(xiàn)此起比伏互相彼連的狀態(tài)，判定為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題