填空題目前多晶硅原料的制備方法主要有三氯氫硅法（改良西門(mén)子法）和（）兩種方法。

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2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于多晶硅和非晶硅電池，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A.在擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)中，只有注入的少子存在很大的濃度梯度，因此擴(kuò)散電流主要是由少子貢獻(xiàn)。
B.非晶硅對(duì)可見(jiàn)光譜的吸收很強(qiáng)，是晶硅的500倍，整個(gè)太陽(yáng)光譜中的吸收系數(shù)也為單晶硅的40倍，因此非晶硅電池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅電池都是由pn結(jié)構(gòu)成的，因此它們的基本結(jié)構(gòu)是相同的。
D.與晶體硅電池相比，非晶硅電池中存在光誘導(dǎo)退化效應(yīng)（S-W效應(yīng)），但其光電轉(zhuǎn)化效率隨溫度升高下降較慢。

3.單項(xiàng)選擇題非晶硅太陽(yáng)能電池的基本構(gòu)造是下列的哪種？（）

A.梳狀電極→減反膜→n型硅→p型硅→反電極
B.梳狀電極→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SS
C.梳狀電極→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→導(dǎo)電玻璃
D.梳狀電極→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS

4.單項(xiàng)選擇題單晶硅電池的制造工藝主要流程為（）

A.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極→制作減反射膜
B.表面處理→擴(kuò)散制結(jié)→制作絨面→制作減反射膜→制作電極
C.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作減反射膜→制作電極
D.表面處理→制作減反射膜→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極

5.單項(xiàng)選擇題以下有關(guān)晶硅太陽(yáng)能電池的溫度和光照特性說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A.隨著溫度的升高，短路電流密度升高，開(kāi)路電壓下降，但光電轉(zhuǎn)換效率下降。
B.溫度對(duì)開(kāi)路電壓的影響明顯大于對(duì)短路電流的影響。
C.光照強(qiáng)度對(duì)短路電流的影響明顯大于對(duì)開(kāi)路電壓的影響。
D.與晶硅太陽(yáng)能電池相比，GaAs太陽(yáng)能電池的禁帶寬度較大，所以晶硅太陽(yáng)能電池具有更好的溫度特性。