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填空題單晶硅棒和PN結(jié)的制造技術(shù)等，與（）以及（）等半導(dǎo)體制造技術(shù)有較多共同部分，且歷史悠久，實(shí)際業(yè)績(jī)突出。

1.填空題單晶硅太陽(yáng)能和多晶硅太陽(yáng)能電池的產(chǎn)量合計(jì)約占世界太陽(yáng)能產(chǎn)量的（）左右。

2.填空題利用兩種半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)串聯(lián)太陽(yáng)能電池，稱為（）。

3.填空題目前實(shí)用化的太陽(yáng)能電池中98％使用的是（）。

4.填空題存在具有最低禁帶寬度εɡ的Hω-QVOC的損失，此損失叫做（）。

5.填空題結(jié)晶硅的理論極限為（），其研究階段為（），大量生產(chǎn)規(guī)模為18%—20%。

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