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填空題a-Si：H作為四面體結合的非晶體，是由（）束縛結構構成的，為了緩和堅固的電路內部應力，易引發(fā)不可見光能帶等的結構缺陷。

1.填空題非晶半導體材料，是失去了像結晶型那長距離晶格結構后的材料，其原子周圍的化學鍵狀態(tài)與結晶時保持（）的狀態(tài)。

2.填空題為了保持優(yōu)良的結晶性能，提高制膜速度，除了要采用（）；（）投入外，多數也采用導入電源頻率為60MHz---100MHz的VHF帶等離子體的CVD法。

3.填空題在a-Si：H太陽能電池中，此低光吸收和（），可以作為電極或者窗口一側的結合層來利用。

4.填空題產生等離子體的電力條件是（），無線電頻率可從射頻到VHF、微波范圍內多種多樣的頻率，但目前射頻等離子體CVD最普及。

5.填空題對于a-Si：H系，其物性上的最大特點是（）通常為1.7—1.8ev，比結晶要寬，結構混亂引起的光學躍遷動量守恒定律的緩和作用，使其在可見光范圍內具有相當大的光吸收系數。