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填空題太陽(yáng)能電池材料是由元素周期表中的III族元素（）；（）和V族磷、砷元素組成的半導(dǎo)體，如用砷化鎵、磷化銦等由III-V族化合物組成的半導(dǎo)體所構(gòu)成的太陽(yáng)能電池。

1.填空題幾乎所有的III-v族化合物半導(dǎo)體都是（）能帶結(jié)構(gòu)，具有（），光吸收系數(shù)很大，對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池是有用的。

2.填空題化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池材料的重要特性參數(shù)有（）；（）、數(shù)載流子移動(dòng)度i以及擴(kuò)散長(zhǎng)度L，特別是在太陽(yáng)能電池中，復(fù)合效果也是重要的參數(shù)。

3.填空題GaAs以及InP的禁帶寬度分別為（）；（），與高效率最適合的1.4ev~1.5ev相近。

4.填空題太陽(yáng)能單一結(jié)電池片可以分為（）；（）、雙異質(zhì)性結(jié)構(gòu)、傾斜禁帶寬度型、異質(zhì)結(jié)構(gòu)、短鍵位壘型、量子阱結(jié)構(gòu)超晶格結(jié)構(gòu)、Si以及Ge基片上的薄膜電池片上。

5.填空題在同質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中，為了得到20%以上的高效率，必須讓結(jié)合深度在（）以下的淺層處，因此在異質(zhì)表面結(jié)構(gòu)中，通入插入寬禁帶寬度的窗層，增加結(jié)合深度高定的自由度，就可以實(shí)現(xiàn)高效率。