每種晶體物質(zhì)都有自己特定的晶體結(jié)構(gòu)，晶體結(jié)構(gòu)不同則X射線衍射花樣也就各不相同。

在電子探針面分析中，根據(jù)圖像上亮點(diǎn)的疏密和分布，可確定該元素在試樣中分布情況，亮區(qū)代表元素含量（）。

晶體的X射線衍射方向反映了晶胞的（）。

變形振動(dòng)分為（）。

簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)材料發(fā)生衍射時(shí)，可以產(chǎn)生衍射的晶面為（）。

電子束與固體樣品作用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生背散射電子。背反射電子的產(chǎn)額隨樣品（）的增加而增多。

關(guān)于stokes線和anti-Stokes線，說法正確的是（）。

掃描電鏡的二次電子像中，樣品表面的深凹槽底部產(chǎn)生較多二次電子，在熒光屏上這些部位的亮度較大。

熱分析中，不同性質(zhì)的氣氛對(duì)測(cè)試結(jié)果沒有影響。

1887年，Hertz建立了XPS技術(shù)的理論模型。