影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）