A、泵送性能變差
B、拌合物離析
C、凝結時間明顯縮短
D、含氣量明顯增大
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、泵送性能
B、凝結性能
C、和易性能
D、保水性能
A、砼拌合物總泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的泌水量
C、單位重量砼拌合物的泌水數(shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水數(shù)量
A、應以3個試樣的試驗結果來確定
B、計算應精確至0.01mL
C、總是以3個試樣的測值的算術平均值來表示。
D、若三個試樣測值的極值與中間值之差均超過中間值的15%時,此次試驗無效。
A、一定量砼拌合物的單位面積的泌水數(shù)量
B、試驗過程的累計泌水數(shù)量
C、單位重量砼拌合物的泌水數(shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水數(shù)量
A、試樣筒裝樣搗實后,拌合物表面應低于筒口30±3mm
B、除吸水操作外,應始終蓋好筒蓋
C、為便于吸水,可在筒底一側(cè)墊放一片35mm厚的墊塊以使筒體傾斜,并需一直保持到試驗結束,以免造成擾動
D、從計時開始后60min內(nèi),每隔10min吸取1次試樣表面滲出的水
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()