A、棱柱體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
B、立方體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
C、圓柱體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
D、圓球體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
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A、棱柱體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
B、立方體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
C、圓球體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
D、圓柱體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
A、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中，有2個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過后者的20%時(shí)，此次試驗(yàn)的結(jié)果無效。
B、把3個(gè)試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值總是無誤的。
C、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中，有2個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過后者的15%時(shí)，此次試驗(yàn)的結(jié)果無效。
D、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中，僅有1個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過后者的20%時(shí)，則按另2個(gè)試件的彈性模量測值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值。
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼卸荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼卸荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼卸荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都對
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都對
A、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa，控制應(yīng)力為11.0MPa
B、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa，控制應(yīng)力為33.0MPa
C、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa，控制應(yīng)力為11.0MPa
D、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa，基準(zhǔn)應(yīng)力為33.0MPa
最新試題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
PN結(jié)的基本特性是（）
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）