單項選擇題（）部位是爐頂區(qū)。

A.炭化室封頂磚以上
B.燃燒室頂以上
C.焦爐頂部表面
D.焦爐最高


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1.單項選擇題硅磚在長期高溫下，會產(chǎn)生（）。

A.殘余收縮
B.殘余膨脹
C.體積不發(fā)生變化

2.單項選擇題硅磚蓄熱室頂部溫度不得超過（）。

A.1000℃
B.1200℃
C.1320℃
D.1500℃

3.單項選擇題硅磚是以（）為主要原料燒制而成的。

A.鐵粉
B.石灰
C.泥土
D.石英石

4.單項選擇題硅磚砌體晶形轉(zhuǎn)化引起的爐體膨脹，主要產(chǎn)生在（）。

A.焦爐投產(chǎn)幾年后
B.烘爐及投產(chǎn)初期
C.烘爐及整個生產(chǎn)期間

5.單項選擇題硅磚焦爐的爐齡一般為（）。

A.10-15年
B.25-30年
C.30-40年