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20世紀(jì)90年代初期使用的第一臺CMP設(shè)備是用樣片估計拋光時間來進行終點檢測的。
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CMP帶來的一個顯著的質(zhì)量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū),可能引起同一層金屬之間的斷路。
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在CMP設(shè)備中被廣泛采用的終點檢測方法是光學(xué)干涉終點檢測。
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