A、增大VK
B、增加淬透性
C、減小其淬透性
D、增大其淬硬性
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A.等溫退火
B.完全退火
C.球化退火
D.正火
A、溫度
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D、張拉錨固工藝
A、L
B、S
C、J
D、M
A、錨板
B、夾片
C、連接器
D、墊板
A、夾片錨具
B、鐓頭錨具
C、擠壓錨具
D、錐塞錨具
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
PN結(jié)的基本特性是()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列是晶體的是()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。