A.M
B.M+A殘
C.M+B下+A殘
D.M+T+A殘
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A.低于Ac1溫度
B.高于Ac1溫度而低于Ac3溫度
C.等于Ac3溫度
D.Ac3+30至50度
A.一次滲碳體
B.二次滲碳體
C.三次滲碳體
D.一次滲碳體和二次滲碳體
A.完全退火
B.再結(jié)晶退火
C.等溫退火
D.去應(yīng)力退火
A.不會在恒溫下結(jié)晶
B.不會發(fā)生相變
C.都能進(jìn)行形變強化
D.都能進(jìn)行時效強化
A.其晶粒形狀會改變
B.其機械性能會發(fā)生改變
C.其晶格類型會發(fā)生改變
D.其晶粒大小會發(fā)生改變
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
PN結(jié)的基本特性是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。