鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

可用作硅片的研磨材料是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）