如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

PN結(jié)的基本特性是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）