下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

可用作硅片的研磨材料是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）