可用作硅片的研磨材料是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。