CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

PN結的基本特性是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。