溫度升高會導致自由電子與金屬晶格中的正離子碰撞加劇，使電阻增大，電阻與溫度之間存在線性關(guān)系。

當冷變形度超過10%時，電阻稍有增加，通常純金屬由冷變形引起的電阻的增加約為2～6%。

經(jīng)歸一化處理后的阻抗圖曲線以一系列影響阻抗的因素（如電導率、磁導率等）作參量。

特征頻率是工件的一個固有特性，與工件自身的電磁特性和幾何尺寸無關(guān)。

金屬鋁、銀、銅、鐵在冷加工后，電阻一直隨著退火溫度的升高而下降。

石墨材料具有一定的導電能力，與硅、鍺元素同屬半導體，但是不能采用渦流技術(shù)檢測石墨及其復合材料制品。

雜質(zhì)會導致金屬晶格的畸變，造成電子散射，使電導率增加。

鐵磁性圓柱試件和非鐵磁性圓柱試件半徑的變化在復阻抗平面上的效應方向是一致的。

福斯特提出有效磁導率，用變化的磁場Hz和恒定的磁導率μ替代了實際上恒定的磁場H0和變化的磁導率。

多相合金的居里點和相的成分有關(guān)，合金中有幾個鐵磁相，相應的就有幾個居里點。