A、SRAM有極高的讀寫速度及大容量
B、DRAM有極高的讀寫速度及大容量
C、SRAM有極高的讀寫速度,DRAM有更大的容量
D、DRAM有極高的讀寫速度,SRAM有更大的容量
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A、晶體振蕩電路的輸出電阻過低
B、示波器的頻帶寬度不夠
C、示波器的高頻等效阻抗偏低
D、示波器的高頻等效阻抗偏高
A、100MHZ
B、40MHZ
C、60MHZ
D、20MHZ
A、在脈沖峰峰值的0至90%處
B、在脈沖峰峰值的10%至90%處
C、在脈沖峰峰值的10%至100%處
D、在脈沖峰峰值的0%至100%處
A、前者靈敏度高,后者抗干擾能力強(qiáng)
B、前者靈敏度差,后者抗干擾能力強(qiáng)
C、前者靈敏度高,后者抗干擾能力差
D、前者靈敏度差,后來抗干擾能力差
A、(101001)2
B、(52)10
C、(00101001)BCD
D、(231)16
最新試題
用匯編語言和高級(jí)語言編寫的同一功能程序,其所占用的存儲(chǔ)單元及執(zhí)行速度()
一示波信號(hào)經(jīng)過積分或微分電路后,其輸出信號(hào)為()
發(fā)光二極管LED工作時(shí),其正向?qū)妷杭s為()
用普通示波器觀察周期為1MS的正弦波形,若示波器屏幕上自左至右顯示兩個(gè)完整的正弦波形,則示波器X軸所加掃描信號(hào)的周期為多少M(fèi)S?()
碳膜電阻與金屬膜電阻,其溫度系數(shù)為()
發(fā)光二極管正常工作時(shí)的正向壓降大約為()
掃頻儀加主測(cè)網(wǎng)絡(luò)的輸出信號(hào)應(yīng)為()
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標(biāo)識(shí)為103、6P8的電容器,其電容量為()
用機(jī)器語言,IC編語言,高級(jí)語言分別編寫的程序也稱為()