單項(xiàng)選擇題蝕刻系數(shù)的表達(dá)式為()。
A.V×X
B.V/X
C.V+X
D.V-X
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1.單項(xiàng)選擇題用來(lái)衡量側(cè)蝕量的大小程度的選項(xiàng)為()。
A.蝕刻系數(shù)
B.蝕刻速率
C.溶銅量
D.鍍層增寬
2.單項(xiàng)選擇題側(cè)蝕的程度是以側(cè)向蝕刻的寬度來(lái)表示的,符號(hào)為()。
A.x
B.y
C.z
D.t
3.單項(xiàng)選擇題印制電路板蝕刻液蝕刻的對(duì)象是()。
A.覆銅箔板
B.環(huán)氧樹(shù)脂
C.鉆孔毛刺
D.阻焊油墨
4.單項(xiàng)選擇題在印制板上形成導(dǎo)電圖形的一般技術(shù)方式為()。
A.濕蝕刻
B.干蝕刻
C.淺蝕刻
D.深蝕刻
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穩(wěn)定化的二氧化鋯中的離子晶格缺陷對(duì)氧離子具傳導(dǎo)性。
題型:判斷題
宿主材料
題型:名詞解釋
簡(jiǎn)述電催化的作用機(jī)制。
題型:?jiǎn)柎痤}
在乙二腈電合成過(guò)程中,甲苯磺酸四乙銨鹽的加入可避免丙烯腈游離基離子的質(zhì)子化,提高乙二腈的產(chǎn)率。
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自組裝單分子層(SAM)
題型:名詞解釋
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題型:判斷題
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題型:判斷題