判斷題蝕刻是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。
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1.多項(xiàng)選擇題在酸性氯化銅蝕刻液體系的再生方法中，由于氯氣是強(qiáng)氧化劑，直接通氯氣是再生的最好方法。是因?yàn)椋ǎ?/a>
A.成本低
B.再生速率快
C.無(wú)污染
D.設(shè)備簡(jiǎn)單
2.多項(xiàng)選擇題在酸性氯化銅蝕刻過(guò)程出現(xiàn)抗蝕劑破壞的原因可能有（）。
A.溶液溫度過(guò)高
B.溶液被污染
C.顯影有余膠
D.傳遞速度過(guò)快
3.多項(xiàng)選擇題影響等離子體蝕刻特性好壞的因素包括以下幾個(gè)方面（）。
A.等離子體蝕刻系統(tǒng)的形態(tài)
B.等離子體蝕刻的參數(shù)
C.光刻膠
D.待蝕刻薄膜的淀積參數(shù)條件
4.多項(xiàng)選擇題濕法蝕刻具有以下哪些缺點(diǎn)（）。
A.化學(xué)藥品處理時(shí)人員會(huì)遭遇的安全問(wèn)題
B.反應(yīng)溶液及去離子水需花費(fèi)較高成本
C.光刻膠會(huì)產(chǎn)生附著性問(wèn)題
D.蝕刻不均勻
5.多項(xiàng)選擇題干法蝕刻通常指利用輝光放電方式，產(chǎn)生等離子體來(lái)進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)移的蝕刻技術(shù)。其中等離子體含有（）。
A.離子、電子
B.中性原子
C.分子
D.自由基
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電催化劑
題型：名詞解釋
葡萄糖生物電池的生成葡萄糖酸反應(yīng)的電位比生成CO2和H2O反應(yīng)的電位低，因此前者比后者反應(yīng)更容易進(jìn)行。
題型：判斷題
在煉鋼過(guò)程中為了測(cè)定鉻含量，通常將鉻單質(zhì)附著在輔助電極表面。
題型：判斷題
自組裝單分子層（SAM）
題型：名詞解釋
視覺(jué)、動(dòng)作、同感、熱刺及、饑餓、干渴是屬于生物電化學(xué)效應(yīng)。
題型：判斷題
宿主材料
題型：名詞解釋
簡(jiǎn)述離子液體在實(shí)際應(yīng)用中存在的問(wèn)題以及未來(lái)的研究重點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}
測(cè)定Cr元素的含量時(shí)，傳感器的電解質(zhì)表面不需要涂覆含鉻化合物。
題型：判斷題
不可通過(guò)調(diào)節(jié)溶液的性質(zhì)來(lái)改變有機(jī)電合成的選擇性。
題型：判斷題
細(xì)胞膜可控制離子的進(jìn)出，因此可讓所有離子都處于平衡狀態(tài)。
題型：判斷題