A.IP
B.FPD
C.光電倍增管
D.攝像機(jī)
E.非晶硒
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A.電子數(shù)據(jù)
B.圖像
C.聲音
D.視頻信號(hào)
E.醫(yī)學(xué)圖像及其信息
A.電信號(hào)
B.可見(jiàn)光
C.數(shù)字信號(hào)
D.高能射線
E.銀離子
A.Al3+
B.Eu2+
C.Cu2+
D.TI2+
E.Se2+
A.數(shù)字成像
B.成像載體可重復(fù)使用
C.動(dòng)態(tài)成像
D.可進(jìn)行數(shù)字圖像處理
E.可使用普通X線機(jī)球管
A.FPD
B.IP
C.CCD
D.PSL
E.Ⅱ
最新試題
直接數(shù)字化X射線攝影,硒物質(zhì)直接轉(zhuǎn)換技術(shù)X射線的吸收率高于間接轉(zhuǎn)換技術(shù)()
CR圖像處理不包括()
CR的缺點(diǎn)有()
直接平板探測(cè)器的線性度范圍是()
CR的中文全稱為()DR的中文全稱為()
屏/片系統(tǒng)成像與數(shù)字平板X線攝影的共同之處是()
從X線到影像按"潛影→可見(jiàn)光→數(shù)字影像"這一程序轉(zhuǎn)換的是()
多絲正比電離室探測(cè)器是()
透過(guò)被照體的X線照射到平板探測(cè)器的非晶硒層時(shí),由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對(duì),即一對(duì)正負(fù)電子。該電子-空穴對(duì)在外加偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng),負(fù)電子跑向偏壓的正極,正電子跑向偏壓的負(fù)極,于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比,這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元,即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管,在讀出該像素單元電信號(hào)時(shí)起開(kāi)關(guān)作用。在讀出控制信號(hào)的控制下,開(kāi)關(guān)導(dǎo)通,把存儲(chǔ)于電容內(nèi)的像素信號(hào)逐一按順序讀出、放大,送到A/D轉(zhuǎn)換器,從而將對(duì)應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號(hào)。關(guān)于該平板探測(cè)器的敘述錯(cuò)誤的是()
CR攝影和常規(guī)X線攝影不同之處在于()