A.非晶硒
B.非晶硅
C.光激勵(lì)熒光體
D.光電倍增管
E.CCD
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A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR
A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP
A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵(lì)熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線
最新試題
CR系統(tǒng)用成像板(IP)來(lái)接收X線的模擬信息,然后經(jīng)過(guò)模/數(shù)轉(zhuǎn)換來(lái)實(shí)現(xiàn)影像的數(shù)字化。對(duì)IP的曝光過(guò)程就是信息采集。關(guān)于CR的信息采集敘述錯(cuò)誤的是()
屏/片系統(tǒng)成像與數(shù)字平板X(qián)線攝影的共同之處是()
直接平板探測(cè)器的線性度范圍是()
關(guān)于IP的敘述錯(cuò)誤的是()
FPD能夠成為平板形狀,主要是探測(cè)器的單元陣列采用的是()
CR是利用什么進(jìn)行成像的()
KonicaCR系統(tǒng)照射量1mR時(shí)對(duì)應(yīng)的S值為200,2mR對(duì)應(yīng)的S值是()
DR相比于CR()
多絲正比電離室探測(cè)器是()
透過(guò)被照體的X線照射到平板探測(cè)器的非晶硒層時(shí),由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對(duì),即一對(duì)正負(fù)電子。該電子-空穴對(duì)在外加偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng),負(fù)電子跑向偏壓的正極,正電子跑向偏壓的負(fù)極,于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比,這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元,即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管,在讀出該像素單元電信號(hào)時(shí)起開(kāi)關(guān)作用。在讀出控制信號(hào)的控制下,開(kāi)關(guān)導(dǎo)通,把存儲(chǔ)于電容內(nèi)的像素信號(hào)逐一按順序讀出、放大,送到A/D轉(zhuǎn)換器,從而將對(duì)應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號(hào)。關(guān)于該平板探測(cè)器的敘述錯(cuò)誤的是()