A.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度成正比
B.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度成反比
C.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)的溫度成正比
D.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)的溫度成反比
E.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度及物理狀態(tài)無(wú)關(guān)
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A.光電吸收系數(shù)
B.康普頓吸收系數(shù)
C.電子對(duì)吸收系數(shù)
D.上述三種吸收系數(shù)之和
E.上述三種吸收系數(shù)之差
A.平方反比規(guī)律
B.指數(shù)規(guī)律
C.算術(shù)級(jí)數(shù)
D.幾何級(jí)數(shù)
E.高斯級(jí)數(shù)
A.20kV低能X線
B.30kV低能X線
C.鈷γ線或高能X線
D.高能電子線
E.以上任意一種射線均可
A.10~30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
B.10~30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
C.10~30keV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
D.10~30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
E.10~30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
A.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),康普頓效應(yīng)為主
B.對(duì)中能γ線和原子序數(shù)低的物質(zhì),光電效應(yīng)為主
C.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),電子對(duì)效應(yīng)為主
D.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),光電效應(yīng)為主
E.對(duì)高能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),康普頓效應(yīng)為主
最新試題
下列關(guān)于光電效應(yīng)的說(shuō)法哪一種是正確的()
放療機(jī)房屏蔽設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)當(dāng)考慮的因素()
外照射放射防護(hù)的三要素是()
對(duì)高能的X射線,通常采用輻射質(zhì)指數(shù)來(lái)描述射線質(zhì),用水模體內(nèi)不同深度的值來(lái)表示定義為()
射野擋鉛的制作材料一般是()
對(duì)60鈷的γ射線和加速器的6MV的X射線所使用的低熔點(diǎn)鉛厚度一般是()
為了防止非隨機(jī)性效應(yīng),放射工作人員任一器官或組織所受的年劑量當(dāng)量不得超過(guò)下列限值()
治療室屏蔽設(shè)計(jì)考慮的因素有()
楔形板的作用是()
使用高能電子束照射時(shí),其PDD隨射野面積變化的關(guān)系是()