單項選擇題一般將IP上產(chǎn)生（）的照射量作為基礎(chǔ)的目標(biāo)照射量
A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題CR的第三象限英文簡稱（）
A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP
2.單項選擇題CR四象限理論中，第四象限對應(yīng)的曲線為（）
A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線
3.單項選擇題CR中IP的線性范圍是（）
A.1：102
B.1：103
C.1：104
D.1：105
E.1：106
4.單項選擇題CR中EDR的中文全稱是（）
A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器
5.單項選擇題CR中光激勵發(fā)光的波長為（）
A.100～200nm
B.390～490nm
C.290～390nm
D.200～300nm
E.190～290nm