寫出VC-S滲透探傷的工藝流程。

試驗線圈的感抗可用×L=2πfL公式計算，阻抗可用Z=√Xl2+R2公式計算。

圖所示的標準試件可用來測定（）。

新置的Ir192γ射線源，其活度為40Ci，現(xiàn)今時隔300天，已知，Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度？該源新置時，對某工件進行射線照相的曝光時間為4min，若所有條件不變，現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘？

JB4730-94標準中規(guī)定磁軛的磁極間距應(yīng)控制在（）。

按操作工藝卡規(guī)定，透照焊縫時母材區(qū)最大黑度為3.0，而國標允許的最大黑度為3.5，若其他條件不變，焦距用650mm時，焦距的測定誤差為±25mm，問在此情況下母材區(qū)黑度是否超過3.5？又最大黑度超過3.5的臨界焦距是多少？（已知1gE（D3.5）=2.17，lgE（D3.0）=2.11）

JB4730-94標準規(guī)定非熒光磁粉，每100毫升磁懸液沉淀體積為（）。

對某非磁性材料進行渦流檢測時，已知μr=1，f=2kHz，ρ=2O×1O-6Ω·m，試計算滲透深度值為多少？

渦流的響應(yīng)（）。

一個實心非磁性棒的阻抗圖中，界限頻率fg用哪一個公式計算（）。