A、長石類原料
B、氧化鋰類原料
C、純堿
D、芒硝
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、降低陶瓷產(chǎn)品的燒成溫度
B、抑制莫來石晶體的形成和長大
C、提高產(chǎn)品的機(jī)械強(qiáng)度
D、提高介電性能
A、能提供游離氧使玻璃結(jié)構(gòu)中的O/Si比值增加
B、降低玻璃黏度
C、是良好的助熔劑
D、降低玻璃的熱膨脹系數(shù)
A、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>25%，F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>25%，F(xiàn)e2O3<0.3%
A、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>30%，F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>30%，F(xiàn)e2O3<0.3%
A、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>20%，F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>20%，F(xiàn)e2O3<0.3%
最新試題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。