鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

下列哪個不是單晶常用的晶向（）