單項選擇題在硅酸鹽水泥熟料的煅燒中固相反應影響因素不包括（）。
A、溫度和反應時間
Ｂ、生料的細度及均勻性
C、原料的性質(zhì)
D、燒成設備
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1.單項選擇題（）一般不用于水泥生產(chǎn)。
A、回轉(zhuǎn)窯
B、立窯
Ｃ、隧道窯
D、立波爾窯
2.單項選擇題不屬于高溫加工過程中的三種方式的是（）。
A、煅燒
B、燒成
C、熔化
D、燒結
3.單項選擇題高嶺土（Al2O3·2SiO2·2H2O）中的H2O是：（）
A、化學結合水
B、物理化學結合水
C、機械結合水
D、物理結合水
4.單項選擇題國家標準規(guī)定水泥生產(chǎn)要控制SO3含量不得超過（）。
A、3.5%
B、5.5%
C、7.5%
D、10%
5.單項選擇題水泥窯尾廢氣溫度大約在（）。
A、30℃
B、300℃
C、1200℃
D、1350℃
最新試題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
PN結的基本特性是（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題