單項(xiàng)選擇題扎哈里阿森(Zachariasen)提出的形成氧化物玻璃的規(guī)則中,氧多面體應(yīng)當(dāng)相互()
A.共角
B.共棱
C.共面
D.不相聯(lián)
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1.單項(xiàng)選擇題能夠單獨(dú)形成玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體的單鍵能一般大于()
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
2.單項(xiàng)選擇題玻璃熔制的主要設(shè)備為()。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
3.單項(xiàng)選擇題一次風(fēng)占燃燒所需要空氣量的()。
A、15%-30%
B、20%―50%
C、40%―60%
D、50%―70%
4.單項(xiàng)選擇題水泥生料的主要原料不包括()。
A、石灰石
B、煤
C、粘土
D、鐵粉
5.單項(xiàng)選擇題陶瓷的主要原料包括()。
A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項(xiàng)選擇題