表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；