單項(xiàng)選擇題原子的組成部分為質(zhì)子、電子和（）。
A、中子
B、分子
C、光子
D、光子、中子
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1.單項(xiàng)選擇題原子核中質(zhì)子的質(zhì)量約為（）。
A、1.6726×10-24克
B、3.167×10-27克
C、9.109×10-31克
D、5.478×10-24克
2.單項(xiàng)選擇題射線照相法是利用X、γ射線穿透工件，以（）作為記錄信息的無損檢測(cè)方法。
A、像質(zhì)計(jì)
B、膠片
C、評(píng)定尺
D、增感屏
3.單項(xiàng)選擇題脈沖超聲波探傷儀的脈沖重復(fù)頻率和（）有關(guān)。
A、報(bào)警電路
B、接收電路
C、同步電路
D、時(shí)基電路
4.單項(xiàng)選擇題蘭姆波可用于檢查（）。
A、鍛件
B、棒坯
C、鑄錠
D、薄板
5.單項(xiàng)選擇題鋼板探傷中，聲速垂直入射缺陷表面，回波高度（）。
A、粗糙表面回波幅度高
B、無影響
C、光滑表面回波幅度高
D、以上都可能
最新試題
采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
題型：單項(xiàng)選擇題
渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由（）構(gòu)成。
題型：單項(xiàng)選擇題
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí)，如果聲束軸線移到缺陷邊緣，缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的（）
題型：單項(xiàng)選擇題
隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了多種型號(hào)的同時(shí)具備探傷、電導(dǎo)率測(cè)量（）測(cè)量功能的通用型儀器。
題型：單項(xiàng)選擇題
掃查方式一般視試件的（）而定。
題型：單項(xiàng)選擇題
各類渦流檢測(cè)儀器的（）和結(jié)構(gòu)各不相同。
題型：單項(xiàng)選擇題
對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后，缺陷的埋藏深度可從熒光屏的（）上讀出。
題型：單項(xiàng)選擇題
缺陷檢測(cè)即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
題型：單項(xiàng)選擇題
磁性測(cè)厚技術(shù)包括機(jī)械式和（）兩種測(cè)量方法。
題型：單項(xiàng)選擇題
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)，當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí)，缺陷波高與缺陷面積成（）
題型：單項(xiàng)選擇題