A、俘獲燈絲發(fā)射的雜散電子
B、限制燈絲電流的最大安培值；
C、減少靶散射的二次電子在玻璃管壁上產(chǎn)生的負(fù)電荷
D、與負(fù)電位相接
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A、倍壓電路
B、半波自整流電路
C、全波整流電路
D、以上都不是
A、靜電加速器
B、加旋加速器
C、直線加速器
D、以上都是
A、一個(gè)變數(shù)
B、一個(gè)常數(shù)
C、在某一黑度范圍是常數(shù)
D、以上都不是
A、底片上相鄰區(qū)域的曝光量差
B、底片上相鄰區(qū)域的黑度差
C、膠片特性曲線的r值
D、曝光曲線上的tgQ值
A、靈敏度
B、曝光量
C、黑度
D、對(duì)比度
最新試題
隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了多種型號(hào)的同時(shí)具備探傷、電導(dǎo)率測(cè)量（）測(cè)量功能的通用型儀器。
各類(lèi)渦流檢測(cè)儀器的（）和結(jié)構(gòu)各不相同。
（）件對(duì)不同類(lèi)型的檢測(cè)對(duì)象和要求，采用的方式各有不同。
采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束（），保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
鑄件超聲檢測(cè)的特點(diǎn)是常采用低頻聲被以減輕衰減和散射，相應(yīng)的可檢缺陷尺寸（）
當(dāng)波束不再與缺陷相遇，則回波（）
直接射向缺陷的波就是（）
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
渦流檢測(cè)儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出（）的相關(guān)信息。