A、直流電
B、單相全波整流電
C、交流電
D、三相全波整流電
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你可能感興趣的試題
A、濕法直流磁化
B、濕法交流磁化
C、干法直流磁化
D、干法交流磁化
A、連續(xù)法
B、濕法
C、剩磁法
D、干法
A、試件溫度高時(shí),干法比濕法好
B、干法是以空氣為媒質(zhì)施加磁粉的方法
C、在檢出近表面內(nèi)部缺陷的場(chǎng)合,干法比濕法更適用
D、以上都對(duì)
A、加工
B、探傷
C、退磁
D、通電
A、常數(shù)
B、非線性函數(shù)
C、代數(shù)和
D、矢量和
最新試題
渦流探傷中平底盲孔缺陷對(duì)于管壁的()具有較好的代表性,因此在在役管材的渦流檢測(cè)中較多采用。
渦流檢測(cè)儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出()的相關(guān)信息。
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的()和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
對(duì)于長(zhǎng)條形試件,則常沿()作平行縱軸的直線式掃查。
渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由()構(gòu)成。
用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì),其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測(cè)量黑光。
直接射向缺陷的波就是()
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。