單項選擇題半導(dǎo)體硅材料制備中產(chǎn)生的硅烷在常溫下是一種氣體，其分子式為（）。
A.SiH2
B.SiH
C.SiH3
D.SiH4
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1.單項選擇題將硅錠切割成硅片的過程中，多線切割對硅片造成的損傷層的厚度約為（）μm。
A.10
B.20
C.5
D.15
2.單項選擇題光伏電池組件電學(xué)特性測試中不必用到的設(shè)備是（）。
A.氣壓表
B.電流表
C.電壓表
D.滑動變阻器
3.單項選擇題測量太陽電池的電學(xué)性能可以歸結(jié)為測量它的（）。
A.光譜響應(yīng)
B.光學(xué)特性
C.伏安特性
4.單項選擇題下列屬于制作非晶硅太陽電池常用的方法的是（）。
A.三氯氫硅還原法
B.輝光放電法
C.硅烷熱分解法
D.四氯化硅還原法
5.單項選擇題制作太陽電池的工藝中不包括下列哪個方面（）。
A.硅片表面準備
B.制備防透膜
C.去背結(jié)
D.制結(jié)
最新試題
對理想運放，當運放工作在線性區(qū)時，其輸出電壓與兩個輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。
題型：判斷題
3進制的加法計數(shù)器，需要（）塊JK觸發(fā)器。
題型：單項選擇題
uo與ui大小相等，相位相反，此時的電路稱為反相器，或倒相器。
題型：判斷題
使用中若IC大于ICM，即使晶體管不損壞，β也會下降。
題型：判斷題
反相比例運算電路，平衡電阻的求法：令ui=0，則uo=0，此時反相端對地總電阻值，即為所求平衡電阻值。
題型：判斷題
放大電路靜態(tài)工作點設(shè)置不妥當，會產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
題型：判斷題
6進制異步清零，最后一個計數(shù)狀態(tài)應(yīng)該為（）
題型：單項選擇題
從000一直到100這五個狀態(tài)是循環(huán)的，而且每來一個脈沖它就加一，很顯然它是一個（）加法計數(shù)器。
題型：單項選擇題
全加器的輸入信號是（）
題型：多項選擇題
由兩個觸發(fā)器組成的時序電路，所以其工作狀態(tài)應(yīng)為（）種。
題型：單項選擇題