多項(xiàng)選擇題使用功率MOSFET時(shí)要注意（）。

A.防止靜電擊穿
B.防止二次擊穿
C.MOSFET不能承受反壓
D.柵源過電壓保護(hù)


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1.多項(xiàng)選擇題功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求是（）。

A.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的前后沿陡峭
B.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓應(yīng)高于開啟電壓
C.信號(hào)電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時(shí)應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓

2.多項(xiàng)選擇題LEM模塊是快速過電流保護(hù)的理想器件，具有（）優(yōu)點(diǎn)。

A.直接測(cè)量原邊大電流，反應(yīng)快
B.可測(cè)量交流、直流和脈沖電流
C.與被測(cè)線路隔離
D.響應(yīng)速度快

3.多項(xiàng)選擇題功率晶體管的浪涌電壓吸收有（）形式。

A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路

4.多項(xiàng)選擇題以下集成電路（）是GTR的專用集成電路。

A.HL201A/HL202A
B.IR2110、IR2115、IR2130
C.EXB35N系列
D.FA5310、FA5311

5.多項(xiàng)選擇題大功率晶體管GTR過電流保護(hù)有（）方式。

A.狀態(tài)識(shí)別保護(hù)法
B.RCD吸收保護(hù)法
C.LEM模塊保護(hù)法
D.橋臂互鎖保護(hù)法