單項選擇題最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
A、EA,
B、ED,
C、EF,
D、Ei
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1.單項選擇題載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
A、漂移
B、隧道
C、擴散
2.單項選擇題把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
A.改變禁帶寬度;
B.產(chǎn)生復合中心;
C.產(chǎn)生空穴陷阱;
D.產(chǎn)生等電子陷阱。
4.單項選擇題一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
A.1/4;
B.1/e;
C.1/e2;
D.1/2
5.單項選擇題影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
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鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
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影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題